静电场的强度取决于充电物体上的电荷数量和它的电荷量不同的物体之间的距离。人体上的电压通常会达到8kv~10kv，有时电压会更高，达到12kv~15kv。许多文献上称，人体的电压可以达到30kv。但这是假设身体的最小辉光放电半径为1cm时推断的。实际上，人体上许多部位的辉光放电半径小于1cm，因此在通常条件下是不会出现这么高电压的。人体上的最高电压应该是20kv左右。

　　如果一个元件的两个针脚或更多针脚之间的电压超过元件介质的击穿强度，就会对元件造成损坏，这是MOS器件出现故障最主要的原因。MOS器件的氧化层越薄，元件对静电放电的敏感性也越大。由静电引起的MOS器件故障通常表现为元件本身对电源有一定阻值的短路现象。对于双极性元件，损坏一般发生在薄氧化层隔开的已进行金属喷镀的有源半导体区域，静电引起的击穿会产生电流严重泄露的路径。

　　另一种故障是由于节点的温度超过半导体硅的熔点（1415℃）时引起的。静电放电脉冲的能量可以产生局部发热，使半导体局部熔断损坏。即使静电产生的电压低于介质的击穿电压，也会发生这种故障。一个典型的例子是，NPN型三极管发射极与基极间常会因静电而击穿，击穿后电流增益急剧降低。

　　器件受到静电放电的影响后，也可能不立即出现功能性的损坏。这些受到潜在损坏的元件通常被称为“跛脚”，一旦加以使用，将会对以后发生的静电放电或传导性瞬态表现出更大的敏感性。整体的性能表现为电子设备的性能越来越差，直至完全损坏。

　　要密切注意元件在不易察觉的放电电压下发生的损坏，这一点非常重要。人体有感觉的静电放电电压为3000v~5000v，然而，元件发生损坏时的电压仅几百伏，。这势必会对电子电路的性能产生影响。表1和表2分别列出了典型生产现场易产生的静电电压及静电对部分电子器件的击穿电压。由这两个表我们可以看出，相对于自然界的静电来说，电子器件是非常娇贵的，正是基于这一因素，是否采取了静电防护措施是衡量电子器件质量好坏的一个非常重要的指标。