“双二极管”是IC片上与片外最常见的ESD保护方法之一。该方法易于实现，占用面积最小，寄生电容小，漏电流也低，优点很多。

　　但是，对于物联网应用，“双二极管”方法却有弊端。特别是接到VDD的“上二极管”，会影响到物联网产品电路的功能。“双二极管”ESD保护方法的局限主要有三点。

双二极管式ESD保护

　　传感器接口的电压不同于IC供电电压

　　有些物联网系统中传感器或致动器（actuator）接口的信号处理电路比较特殊，这些接口电路的电压有可能会超过IC供电电压。当信号电压高于VDD加二极管导通电压时，二极管会正向导通（从接口pad向VDD方向导通），从而产生从传感器到VDD的通路，引入电源噪声。

　　开漏电路（open drain）连接IC之间的通信

　　很多物联网应用中，都有多颗IC共享一个通信通道的案例。I2C就是这样一种常见的传感器通信接口。由飞利浦发明的I2C是一种多主、多从的单端串行总线。由于I2C通信只需要两根线，所以成本很低。I2C通信适应性非常广，连到I2C总线上的IC供电电压不同（例如3.3V、5V或1.8V）或者部分IC不供电，都不会影响I2C通信。

　　但是如果在I2C的两根信号SDA与SCL上加入连接到VDD的二极管做ESD保护，就需要使连接到I2C的所有IC都供电，并且供电电压也要相同，否则相互之间就不能通信。

　　SoC子系统需要进入休眠状态

　　通常情况，为了减少总漏电流，物联网系统只有一小部分始终处于工作状态，其他电路大部分时间是关闭的，整个系统只在新数据出现时才会工作一小段时间。

　　但传统的“双二极管”式ESD保护方法可能会让漏电流加大。因为加在IO上的电压可能会唤醒部分应该休眠的功能模块。SoC内部的ESD保护电路一样会遇到类似的问题，芯片内部不同区域之间通信时，IC设计工程师会习惯性地加上双二极管来保护内部电路。如果没有ESD保护，芯片内部的敏感电路被打坏的可能性大幅增加，但是如果SoC中的子系统需要休眠，那么IC设计工程师需要考虑其他的ESD保护方法。