目前，我国传感器行业规模较小，应用范围较窄。为此，我们必须转变观念，将传感器的研发由单一物性型传感器的研发，转化为高度集成的新型传感器研发。新型传感器的开发和应用已成为现代系统的核心和关键，它将成为21世纪信息产业新的经济增长点。

我国早在20世纪60年代就开始涉足传感器制造业。我国在1972年组建成立中国第一批压阻传感器研制生产单位；1974年，研制成功中国第一个实用压阻式压力传感器；1978年，诞生中国第一个固态压阻加速度传感器；1982年，国内最早开始硅微机械系统（MEMS）加工技术和SOI（绝缘体上硅）技术的研究。

进入20世纪90年代后，硅微机械加工技术的绝对压力传感器、微压传感器、呼吸机压传感器、多晶硅压力传感器、低成本TO－8封装压力传感器等相继问世并实现生产。改革开放30年来，我国传感器技术及其产业取得了长足进步，主要表现在：建立了传感技术国家重点实验室、微米／纳米国家重点实验室、国家传感技术工程中心等研究开发基地；MEMS、MOEMS（微光机电系统）等研究项目列入了国家高新技术发展重点；在“九五”国家重点科技攻关项目中，传感器技术研究取得了51个品种86个规格新产品的成绩，初步建立了敏感元件与传感器产业；2007年传感器业总产量达到20．93亿只，品种规格已有近6000种，并已在国民经济各部门和国防建设中得到一定应用。

几十年来，微电子技术促进了传感器技术的发展。未来10年～20年，传统硅技术将进入成熟期（预计在2014年～2017年）。从总体发展看，传统硅技术市场将一直延续到2047年（即晶体管发明100周年）才趋于饱和（即达到芯片特征尺寸的极限）并衰退。而当前微电子技术仍将依循“等缩比原理”和“摩尔定律”两条基础定律走下去，在逼近传统硅技术极限中，不断扩展硅的跨学科横向应用（如MEMS等）和更先进应用（量子、分子器件）。而上述微电子技术的两大发展方向正是当前乃至未来20年传感器技术的主要发展方向。