日前，三星宣布推出业界首款第三代HBM2E内存，新的HBM2E内存由8颗16Gb的DRAM颗粒堆叠而成，单个封装可以达到16GB的总容量，并且其拥有高达3.2Gbps的传输速率。

新型Flashbolt准备提供前一代8GB HBM2“ Aquabolt”容量的两倍，还可以显着提高性能和电源效率，从而显着改善下一代计算系统。通过在缓冲芯片顶部垂直堆叠八层10nm级(1y)16千兆位(Gb)DRAM裸片来实现16GB的容量。然后，该HBM2E封装以40,000多个“直通硅通孔”(TSV)微型凸块的精确排列进行互连，每个16Gb裸片均包含5,600多个此类微小孔。

三星的Flashbolt通过利用专有的优化电路设计进行信号传输，提供了每秒3.2吉比特(Gbps)的高度可靠的数据传输速度，同时每个堆栈提供410GB / s的内存带宽。三星的HBM2E还可以达到4.2Gbps的传输速度，这是迄今为止最大的测试数据速率，在某些将来的应用中，每个堆栈的带宽高达538GB / s。这将比Aquabolt的307GB /秒提高1.75倍。

三星预计将在今年上半年开始量产。该公司将继续提供其第二代Aquabolt产品阵容，同时扩展其第三代Flashbolt产品，并将在整个高端存储器市场加速向HBM解决方案的过渡时，进一步加强与下一代系统中生态系统合作伙伴的合作。