东芝电子元件及存储装置株式会社（"东芝"）今日宣布，推出"TLP5231"，这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏（PV）的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1]，其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。

TLP5231产品示意图

　　新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器，来控制中大电流IGBT和MOSFET。

　　目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大，这会在工作中消耗基极电流。新产品能够使用外部互补MOSFET缓冲器，仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电时消耗电流，有助于降低功耗。

　　通过改变外部互补MOSFET缓冲器的大小，TLP5231能够为各种IGBT和MOSFET提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET缓冲器以及IGBT／MOSFET的配置可用作平台来满足系统的功率需求，从而简化设计。

　　其他功能包括：在检测到VCE(sat)过流后使用另一个外部N沟道MOSFET控制"栅极软关断时间"；另外，除了能通过监控集电极电压检测到VCE(sat)之外，还有UVLO[3]检测，将任意故障信号输出到一次侧。以上这些现有产品[2]不具备的新特性，能够让TLP5231帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。

应用：
　　IGBT与功率MOSFET栅极驱动（预驱动）
　　交流电机和直流无刷电机控制
　　工业逆变器与不间断电源（UPS）
　　光伏（PV）电源调节系统

特性：
　　内置有源时序控制的双输出，适用于驱动P沟道和N沟道互补MOSFET缓冲器。
　　当检测到过流时，通过使用另一个外部N沟道MOSFET实现可配置栅极软关断时间。
　　当监控集电极电压检测到过流时或UVLO时，故障信号会输出到一次侧。

主要规格：
　　（除非另有说明，@Ta＝-40至110℃，典型值@Ta＝25℃）

器件型号
TLP5231
绝对最大额定值
峰值高电平输出电流IOPH（A）
-2.5
峰值低电平输出电流IOPL（A）
+2.5
电气特性
VOUTP高电平输出电流IOUTPH最大值（A）
-1.0
VOUTP低电平输出电流IOUTPL最小值（A）
1.0
VOUTN高电平输出电流IOUTNH最大值（A）
-1.0
VOUTN低电平输出电流IOUTNL最小值（A）
1.0
高电平供电电流（VCC2）ICC2H最大值（mA）
10.2
低电平供电电流（VCC2）ICC2L最大值（mA）
10.2
高电平供电电流（VEE）IEEH最小值（mA）
-9.2
低电平供电电流（VEE）IEEL最小值（mA）
-9.2
阈值输入电流（H／L）IFHL最大值（mA）
3.5
建议工作条件
总输出供电电压（VCC2-VEE）（V）
21.5至30
负输出供电电压（VE-VEE）（V）
6.5至15
正输出供电电压（VCC2-VE）（V）
15至23.5
开关特性
传播延迟时间（L／H）tpLH（ns）
100至300
传播延迟时间（H／L）tpHL（ns）
100至300
传播延迟偏差（器件到器件）tpsk（ns）
-200至200
高电平共模瞬态抑制
CMH最小值（kV/μs）
±25
高电平共模瞬态抑制
CML最小值（kV/μs）
±25
功能
保护功能
IGBT VCE(sat)检测、
欠压锁定（UVLO）[4]
反馈（故障）：在检测到VCE(sat)或UVLO（集电极开路输出）时激活
隔离特性
（@Ta＝25℃）
隔离电压BVS最小值（Vrms）
5000
机械参数
最小电气间隙（mm）
8.0
最小爬电距离（mm）
8.0
内部最小隔离厚度（mm）
0.4
库存查询与购买
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　　注释：
　　[1] 栅极信号软关断、故障反馈功能
　　[2] TLP5214、TLP5214A
　　[3] UVLO：欠压锁定
　　[4] 常见VE