作为碳化硅技术全球领先企业的科锐（Cree Inc., 美国纳斯达克上市代码：CREE）公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合，适用于更广阔的工业应用，助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用，提供业界领先的功率效率。

Wolfspeed高级副总裁兼总经理Cengiz Balkas表示：“科锐引领从硅向碳化硅的全球产业转型。我们的新型650V MOSFET系列迈进了一步，为包括工业应用在内的更多应用领域提供高功率解决方案。650V MOSFET所提供的优异功率效率，助力现今最大的技术领先企业开发新一代电动汽车车载充电、数据中心、储能方案等，帮助重塑我们的云技术和可再生能源基础设施。”

新型15 mΩ 和 60 mΩ 650V 器件，采用科锐业界领先的第3代C3M MOSFET技术，比之竞品碳化硅MOSFET，可最高降低20%开关损耗，为更高效率和更高功率密度的解决方案提供更低的导通电阻。终端用户将在各种不同应用中实现更高的功率使用效率、降低散热需求、业界领先的可靠性，从而实现更低的总体拥有成本，并从中获益。

与硅基方案相比较，Wolfspeed新型650V碳化硅MOSFET能够降低75%开关损耗和50%导通损耗，从而有望带来300%功率密度提升。设计工程师现在可以满足甚至超越业界极为严苛的效率标准，这其中包括了针对服务器电源的80 Plus® Titanium要求。

新型650V MOSFET系列同样也适合于电动汽车市场的车载充电机。更高的效率和更快的开关，帮助客户在设计更小尺寸方案时仍能获得附加性能。Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET能够助力车载充电机实现双向充电功能，无需在系统的尺寸、重量、复杂度等方面进行权衡妥协。与此同时，Wolfspeed在车用AEC-Q101认证方面的经验，以及业经验证的E-系列MOSFET，都为之后车用认证650V MOSFET铺平了道路。

其它工业应用，比如多用途开关模式电源（SMPS），也可以从科锐这家全球业界领先的垂直整合碳化硅技术供应商所开发的新型650V碳化硅MOSFET优势中获益。

Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET采用业界标准插件及贴片封装，现已可获取。