据报道，BAE系统公司的FAST实验室继续推动研发毫米波氮化镓（GaN）半导体技术，以对关键的下一代雷达、电子战和通信技术提供支持。

目前，BAE系统公司正处于与美国空军实验室（AFRL）签订的多年合作项目的第三阶段，BAE将继续开发对国防至关重要的氮化镓技术，并为美国国防部供应商提供支持美军作战的途径。

氮化镓是一种先进的半导体材料，它能以较小的体积提供更大的频率带宽、更高的效率和传输功率，从而能为美国国防部的关键应用提供更强大的系统能力。氮化镓技术满足了美国国防部对低成本、高性能放大器技术的独特需求。

在这个多阶段项目中，第一阶段的重点是将技术从美国空军实验室过渡到BAE系统公司的晶圆厂，第二阶段是使技术成熟并扩展至6英寸晶圆，以降低每片成本。第三阶段与第二阶段同时进行，旨在进一步扩展该技术，并尝试为更广泛的业界提供技术支持，以开发下一代应用该技术的高性能集成电路。美国国防部意图建立一个值得信赖的、基于美国的关键先进电子能力供应体系，而对于该专业技术和能力的开发正体现了这一点。

具体来说，第三阶段内容包括一项由美国政府赞助的挑战：利用BAE系统公司的晶圆厂及其专业知识，向来自工业界和大学的非传统团队开放，从而在更广泛的业界中扩展氮化镓设计的多样性，并获得更多相关经验。这种开发能够大大扩展氮化镓技术的开发与利用，能够使该关键技术的采用速度翻倍。

BAE系统公司FAST实验室射频、电子战和先进电子技术产品线总监Chris Rappa说：“与美国空军实验室合作的这一氮化镓项目正在为先进技术的开发奠定基础，其可能是新一代战斗机的关键技术之一。通过这个多年的多阶段项目，以及我们自己的内部投资，我们已经看到了价值超过1500万美元的技术和设施的更新，这将有利于我们开发出额外的功能，从而帮助实现美国国防部的目标，即创建更多值得信赖的、基于美国的下一代技术卓越中心。”

氮化镓项目是BAE系统公司的国防电子研发组合及其开放性代工服务的一部分，并且该项目建立在BAE 最近宣布的T-MUSIC奖项以及MATRIC技术成功的基础上。BAE系统公司在位于美国新罕布什尔州纳舒亚市的微电子中心（MEC）研究和推进包括氮化镓技术在内的世界级微电子技术。自2008年以来，该微电子中心一直是经认证的美国国防部1A类可信供应商，并为美国国防部的关键项目生产制造集成电路。