全面的宽禁带器件组合实现高性能充电方案

2021年6月8日—推动高能效创新的安森美半导体 （ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），发布一对1200 V完整的碳化硅 （SiC） MOSFET 2－PACK模块，进一步增强其用于充满挑战的电动车 （EV） 市场的产品系列。

随着电动车销售不断增长，必须推出满足驾驶员需求的基础设施，以提供一个快速充电站网络，使他们能够快速完成行程，而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展，需要超过350 kW的功率水平和95％的能效成为“常规”。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点，紧凑性、鲁棒性和增强的可靠性都是设计人员面临的挑战。

新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模块，基于平面技术，适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比，降低了热阻，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度。

NXH010P120MNF配置为2－PACK半桥架构，是采用F1封装的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封装的6 mohm器件。这些封装采用压接式引脚，是工业应用的理想选择，且嵌入的一个负温系数 （NTC） 热敏电阻有助于温度监测。

新的SiC MOSFET模块是安森美半导体电动车充电生态系统的一部分，被设计为与NCD5700x器件等驱动器方案一起使用。最近推出的NCD57252双通道隔离型IGBT／MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。

NCD57252采用小型SOIC－16宽体封装，接受逻辑电平输入（3．3 V、5 V和15 V）。该高电流器件（在米勒平台电压下，源电流4．0 A／灌电流6．0 A）适合高速工作，因为典型传播延迟为60 ns。

安森美半导体的 SiC MOSFET与新的模块和门极驱动器相辅相成，比类似的硅器件提供更胜一筹的开关性能和增强的散热性，令能效和功率密度更高，电磁干扰 （EMI） 得以改善，并减小系统尺寸和重量。

最近发布的 650 V SiC MOSFET 采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，使（RDS（on）＊area） 的品质因数 （FoM） 达到同类最佳。该系列器件如NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1 和 NTH4L015N065SC 等是市场上采用D2PAK7L ／ TO247 封装的具有最低RDS（on） 的MOSFET。

1200 V和900 V N沟道SiC MOSFET芯片尺寸小，减少了器件电容和门极电荷（Qg － 低至220 nC），从而减少电动车充电桩所需高频工作的开关损耗。

在 APEC 2021 期间，安森美半导体将展示用于工业应用的 SiC方案，并在展商研讨会上介绍电动车非车载充电方案。