11月29日，由中国科学院光电技术研究所研制“超分辨光刻装备研制” 通过国家验收该光刻机是国家重大科研装备研制项目。光刻分辨力达到22纳米，将来结合双重曝光技术后，还可用于制造10纳米级别的芯片。

光刻机是制造芯片的核心装备，我国在这一领域长期落后。它采用类似照片冲印的技术，把设计母版上的精细电路设计图，通过曝光的方式转印至硅晶体片上。光刻机的分辨力越是高，硅晶芯片的集成度也越高。但是传统的光刻技术受到“光学衍射”（光波遇到障碍物以后会或多或少地偏离几何光学传播定律的现象）效应的影响，很难进一步提高图像的分辨力。

为获得更高分辨力，目前普遍采用的技术是缩短光波，增加成像系统数值孔径等技术路径来提高光刻机的分辨率，但这项技术对设备要求极高，相关知识产权也在国外企业手中，购买相应设备的成本也极高。

我国此次研制的该光刻机是在365纳米光源波长下，单次曝光最高的线宽分辨力可以达到22纳米。该项目从原理上突破了分辨力衍射的极限。建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，并且绕过了国外相关知识产权的壁垒。

中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备，打破了传统路线格局，形成一条全新的纳米光学光刻技术路线，具有完全自主知识产权，为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具。

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