互补金属氧化物半导体FET技术或引发电子产品革命

    2月23日消息，在近期，由美国波音公司和通用汽车公司拥有的研发实验室HRL正式宣布将首次展示其研发的互补金属氧化物半导体FET技术。其实，该研究结果早在今年1月6日就被发表在了inieee电子器件快报上，但现在，它将被正式的展示。据悉，在这一过程中，该实验室已经确定半导体卓越晶体管性能可以在集成电路中加以利用，这一突破为氮化镓成为目前以硅为原材料的电源转换电路的备选技术铺平了道路。

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　　在此之前，氧化镓由于存在大量的寄生电感导致电压不稳定，使其在光电子方面的应用潜力并没有被开发出来多少。而现在，HRL通过将电源开关及驱动电路集成在同一芯片上的方式，大大的减少了这一影响。

　　这项技术被应用在电子产品当中的话，将使功率集成电路能够采用更小的尺寸，并以更低的成本实现更高效的电力管理，也能够在更为恶劣的环境下工作。在此之前，由于在制造P沟道晶体管和N沟道晶体管的挑战，氮化镓CMOS集成电路曾被认为是困难或不可能的。而现在HRL已经通过自己的努力改变了这一切。

　　这项技术必将对电子产品带来巨大的影响，甚至是具有革命性意义的影响。在未来，我们所使用的电子产品或许将因此具备更优秀的性能和更广的使用范围。