IBM研究实验室（IBMResearch）9日宣布，IBM与伙伴格罗方德半导体（GlobalFoundriesInc.）、三星和纽约州立大学纳米理工学院终于突破重大瓶颈，共同打造出全球首颗7纳米芯片原型，进度超越英特尔（IntelCorp.）等竞争对手。
IBM半导体科技研究部副总裁MukeshKhare表示，这款测试芯片首度在7纳米晶体管内加入一种叫做「硅锗」（silicongermanium，简称SiGe）的材料，并采用了极紫外光（EUV）微影技术。荷兰半导体设备大厂艾司摩尔（ASMLHoldingNV）本身研发的EUV设备一台要价1.5亿美元，相较之下他种微影系统一台售价只有5,000万美元。
ArsTechnica9日指出，7纳米制程芯片至少还要等两年才能具有商业用途，但IBM与其伙伴的突破仍具有重大意义。首先，这款芯片采用的制程技术低于10纳米，还是第一款使用硅锗的10纳米以下FinFET逻辑芯片，另外也是全球第一个导入EUV技术、能有商业用途的芯片设计。
英特尔对14纳米制程技术的校正进度已延迟约六个月，目前则在开发10纳米技术，有望于2016年问世。英特尔资深主管MarkBohr最近曾表示，该公司的7纳米制程应该不需要改用EUV设备，但他并未透露更多细节。
彭博社报导，英特尔是ASML在美国的最大客户。INGBankNV分析师RobinvandenBroek当时在接受专访时指出，这明显是英特尔想要在7纳米制程技术中导入EUV设备，而假如以正常的报价计算，这笔订单的金额将高达15亿欧元；也就是说，英特尔已将一笔为数不小的资金投入了7纳米制程科技。denBroek还说，ASML另外两家大客户分别是三星与台积电，他认为这两家业者也会跟进导入EUV。
台积电共同执行长刘德音曾在4月16日表示，台积电已开始研发7纳米制程技术，预计2017年就进入最后试产阶段的风险生产(RiskProduction)。
(审核编辑: 智汇张瑜)
