LED芯片知识大解密

征载流子的数量增大的影响较之迁移率减小的半导体电阻率变化的影响更为严重，导致内量子效率下降，温度升高又导致电阻率下降，使同样IF下，VF降低。如果不用恒流源驱动LED，则VF降将促使IF指数式增加，这个过程将使LED PN 结上温升更加快，最终温升超过最大结温，导致LED PN结失效，这是一个正反馈的恶性过程。 PN结上温度升高，使半导体PN结中处于激发态的电子?空穴复合时从高能级向低能级跃迁时发射出光子的过程发生退化。这是由于PN结上温度升高时，半导体晶格的振幅增大，使振动的能量也发生增加，当它超过一定值时，电子?空穴从激发态跃迁到基态时回与晶格原子(或离子)交换能量，于是成为无光子辐射的跃迁，LED的光学性能退化。