Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的30 V和40 V P沟道MOSFET，有效提高板级可靠性

汽车级器件导通电阻低至4.4 mW，采用业内超薄鸥翼引线结构5 mm x 6 mm紧凑型PowerPAK^®SO-8L封装

宾夕法尼亚、MALVERN—2019年3月7日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET^®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鸥翼引线结构PowerPAK^®SO-8L封装，有效提升板级可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通过AEC-Q101认证，占位面积比DPAK封装器件减小50%以上，节省PCB空间并降低成本，同时导通电阻低于任何鸥翼引线结构5 mm x 6 mm封装MOSFET。

由于需要很高功率，12 V汽车系统马达驱动和主电源要求MOSFET在各种应用中具有极低的导通电阻，如电池反向极性保护和高边开关。Vishay Siliconix -30 V SQJ407EP和-40 V SQJ409EP在10 V条件下，导通电阻分别为4.4 mW和7.0 mW，完全可以满足这种要求。此外，作为p沟道MOSFET，两款器件是理想的负载开关，不需要电荷泵提供n沟道器件所需的正向栅压。

日前发布的MOSFET工作温度可达+175 °C，同时鸥翼引线结构可缓解温度循环过程中、主板弯曲、振动和意外跌落产生的机械应力，与刚性QFN封装相比，具有更加优异的板级可靠性。鸥翼引线结构还有助于自动光学检测(AOI) 过程获得更加一致可靠的结果。

器件采用无铅(Pb) 封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100 % Rg和UIS测试。

SQJ407EP和SQJ409EP现可提供样品并已实现量产。

VISHAY简介

VishayIntertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站www.vishay.com。

TrenchFET和PowerPAK 是Siliconix公司的注册商标