松下开发出使Si基板GaN功率晶体管耐压提高5倍的技术

松下半导体解明了GaN功率晶体管的耐压只取决于GaN膜耐压的原因，并对该问题产生的原因——流过硅基板和GaN表面的泄漏电流进行了抑制，从而提高了GaN功率晶体管的耐压。结果，使GaN膜厚度达到1.9μm，耐压达到2200V，提高至原来的5倍以上。 [详情]

飞利浦推出OLED制作新技术 薄膜覆盖减少耗材

近日，据相关媒体报道，Aachen Fraunhofer学院的科学家为飞利浦研制了一种最新的OLED制作方法。新方法的使用将有效的减少原材料的浪费。 [详情]